碳化硅
三分钟了解第三代半导体材料：碳化硅（SiC） 知乎
2019年7月25日 2、碳化硅有什么用？ 以SiC为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，也是目晶体生产技术和器件制
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半导体届“小红人”——碳化硅 知乎
2019年10月9日 碳化硅（SiliconCarbide）是C元素和Si元素形成的化合物。. 自然界中也存在然SiC矿石（莫桑石），然而因其极其罕见，仅仅存在于年代久远的陨石坑内，所以市面上的碳化硅绝大多数都是人工合成物。.
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碳化硅_化工百科
2022年1月1日 碳化硅 性质. 开放数据 可信数据. 高纯碳化硅为无色透明结晶或无定形粉末，含杂质的碳化硅为绿色，固溶有炭和金属氧化物杂质则呈黑色。. 在常压下2500℃时发
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一文看懂碳化硅（SiC）产业链_腾讯新闻
碳化硅产业链也可分为三个环节：分别是上游衬底，中游外延片和下游器件制造。 图表来源：中信证券 碳化硅上游 -- 衬底 碳化硅在半导体中存在的主要形式是作为衬底材料。碳化硅晶片作为半导体衬底材料，长晶难度
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碳化硅：第三半导体核心材料，产业链龙头全梳理|半导体材料
2022年5月10日 以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料逐渐进入产业化加速放量阶段。. 碳化硅（SiC）是第三代半导体材料的核心。. 相较于两代材料，碳化硅具有耐高压
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国内第三代半导体厂商（碳化硅） 知乎
2019年2月22日 2018年11月13日，岳碳化硅材料项目开工活动在长沙浏阳高新区举行，该项目的落实标志着国内最大的第三代半导体碳化硅材料项目及成套工艺生产线正式开建。. 据悉，岳碳化硅材料项目由山东岳
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预见2022：《2022年中国碳化硅行业全景图谱》(附市场规模
2022年7月17日 碳化硅（SiC）行业分析报告：碳化硅(SiC)是一种无机物，其是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。
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碳化硅（SiC）产业研究-由入门到放弃（一） 转载自：信熹
2021年12月4日 转载自：信熹资本Part I 简介01 什么是碳化硅纯碳化硅（SiC）是无色透明的晶体，又名莫桑石（Moissanite）, 高品质莫桑石的火彩好于钻石。然碳化硅非常罕
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大家对碳化硅器件的景如何看？ 知乎
2022年12月3日 目生产碳化硅功率半导体技术需要非常强大的自主研发能力和碳化硅芯片的制造能力。 世界500强的供应商有在碳化硅产品上采用双沟槽栅极技术，这比碳化
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碳化硅_化工百科
2022年1月1日 碳化硅 性质. 开放数据 可信数据. 高纯碳化硅为无色透明结晶或无定形粉末，含杂质的碳化硅为绿色，固溶有炭和金属氧化物杂质则呈黑色。. 在常压下2500℃时发生分解。. 相对密度3.20～3. 25,介电常数7.0，室温下电阻率102M．cm。. 碳化硅的硬度很高，莫
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碳化硅 知乎
碳化硅（又名：碳硅石、金钢砂或耐火砂），化学简式：SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成的一种耐火材料。碳化硅在大自然也存在于罕见的矿物，莫桑石中。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济
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碳化硅|精密陶瓷（高级陶瓷）|京瓷
碳化硅主要由SiC组成，是耐腐蚀性优越陶瓷材料，可用在机械密封和泵零部件中。在高达1400 ℃的温度下，碳化硅仍能保持其强度。 碳化硅相关产品 特点 结构 性能 特点 在高达1400℃的温度下，碳化硅甚至仍能保持其强
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第三代半导体材料之碳化硅（SiC）
2020年12月23日 碳化硅（SiC）是第三代化合物半导体材料。半导体产业的基石是芯片，制作芯片的核心材料按照历史进程分为：第一代半导体材料（大部分为目广泛使用的高纯度硅），第二代化合物半导体材料（砷化镓、磷化铟），第三代化合物半导体材料（碳化硅、氮化
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预见2022：《2022年中国碳化硅行业全景图谱》(附市场规模
2022年7月17日 碳化硅（SiC）行业分析报告：碳化硅(SiC)是一种无机物，其是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。目已发现的SiC同质异型晶体结构有200多种，其中六方结构的4H型SiC(4H-SiC)具有高临界
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揭秘碳化硅，第三代半导体材料核心，应用七大领域，百亿
2021年11月7日 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。. 碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。. 受益于 5G 通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等领域的发
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大家对碳化硅器件的景如何看？ 知乎
2022年12月3日 目生产碳化硅功率半导体技术需要非常强大的自主研发能力和碳化硅芯片的制造能力。 世界500强的供应商有在碳化硅产品上采用双沟槽栅极技术，这比碳化硅MOSFET的导通电阻数值更低。
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碳化硅（SiC）产业研究-由入门到放弃（一） 转载自：信熹
2021年12月4日 转载自：信熹资本Part I 简介01 什么是碳化硅纯碳化硅（SiC）是无色透明的晶体，又名莫桑石（Moissanite）, 高品质莫桑石的火彩好于钻石。然碳化硅非常罕见，仅出现在陨石坑内，常见碳化硅主要通过人工合成得到。碳化硅又叫金刚砂，具有优良的热力学和电化学性能。
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【干货】碳化硅行业产业链全景梳理及区域热力地图_行业研究
2022年8月11日 碳化硅产业链区域热力地图：东部沿海地区拥有聚集优势. 中国碳化硅企业分布较为集中，主要在江浙沪及周围领域和东南沿海区域分布。. 目江浙地区的企业最多，且龙头企业效应明显，其次为广东地区，拥有一大批中小型厂商以及数字化方案提供商。.
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详解碳化硅MOSFET跟IGBT应用上的区别！ 亿伟世科技
2022年4月25日 碳化硅mosfet模块在光伏、风电、电动汽车及轨道交通等中高功率电力系统应用上具有巨大的优势。碳化硅器件的高压高频和高效率的优势，可以突破现有电动汽车电机设计上因器件性能而受到的限制，这是目国内外电动汽车电机领域研发的重点。
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揭秘第三代芯片材料碳化硅，国产替代黄金赛道_澎湃号湃客
2021年7月5日 揭秘第三代芯片材料碳化硅，国产替代黄金赛道. 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会。. 硅是目制造芯片和半导体器件最广泛的原材料， 90%以上的半导体产品是以硅为原材料制成的。. 然而受材料本身特性的限制，硅基功率器件已经渐渐难以满足 5G 基站
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碳化硅SIC器件-CoolSiC™-英飞凌(Infineon)官网
2 之 为通过使用碳化硅MOSFET实现最大的系统效益，建议用英飞凌的EiceDRIVER™栅极驱动IC来补充英飞凌的CoolSiC™MOSFET，以充分利用碳化硅技术的优势。提高效率、节省空间并减轻重量、减少零件数量和
获取价格第三代半导体材料之碳化硅（SiC）
2020年12月23日 碳化硅（SiC）是第三代化合物半导体材料。半导体产业的基石是芯片，制作芯片的核心材料按照历史进程分为：第一代半导体材料（大部分为目广泛使用的高纯度硅），第二代化合物半导体材料（砷化镓、磷化铟），第三代化合物半导体材料（碳化硅、氮化
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预见2022：《2022年中国碳化硅行业全景图谱》(附市场规模
2022年7月17日 碳化硅（SiC）行业分析报告：碳化硅(SiC)是一种无机物，其是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。目已发现的SiC同质异型晶体结构有200多种，其中六方结构的4H型SiC(4H-SiC)具有高临界
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碳化硅 (SiC) 材料
2023年2月27日 烧结碳化硅 SiSiC，就像圣戈班专有的 Hexoloy ® 品牌，在惰性气氛中使用一系列成型方法（包括干压和挤出）在极高的温度（~2,000°C）下生产。 反应键合或硅化的碳化硅是使用多孔碳原料和熔融硅通过添加剂成型、铸造或挤出形成的。 这些完全致密的碳化硅陶瓷中的每一种都在超过 1,400°C (2,552°F) 的
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【干货】碳化硅行业产业链全景梳理及区域热力地图_行业研究
2022年8月11日 碳化硅产业链区域热力地图：东部沿海地区拥有聚集优势. 中国碳化硅企业分布较为集中，主要在江浙沪及周围领域和东南沿海区域分布。. 目江浙地区的企业最多，且龙头企业效应明显，其次为广东地区，拥有一大批中小型厂商以及数字化方案提供商。.
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碳化硅CoolSiC™ MOSFET模块-英飞凌(infineon)官网
1 此外，碳化硅（SiC）功率模块 RDS 从 52.9 mOhm到1.44 mOhm ，可针对不同的应用需求进行定制。 我们的CoolSiC™ MOSFET功率模块系列拥有不同的配置，如三电平、半桥、fourpack、sixpack或Boost 升压电路。
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碳化硅（SiC）产业研究-由入门到放弃（一） 转载自：信熹
2021年12月4日 转载自：信熹资本Part I 简介01 什么是碳化硅纯碳化硅（SiC）是无色透明的晶体，又名莫桑石（Moissanite）, 高品质莫桑石的火彩好于钻石。然碳化硅非常罕见，仅出现在陨石坑内，常见碳化硅主要通过人工合成得到。碳化硅又叫金刚砂，具有优良的热力学和电化学性能。
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碳化硅陶瓷9大烧结技术大揭秘 中国粉体网
2021年4月6日 碳化硅坯体热(等静) 压烧结工艺流程图 反应烧结 反应烧结碳化硅最早由P.Popper在上世纪50年代提出，其工艺过程是将碳源和碳化硅粉混合，通过注浆成型，干压或冷等静压成型制备出坯体，然后进行渗硅反应，即在真空或惰性气氛下将坯体加热至
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详解碳化硅MOSFET跟IGBT应用上的区别！ 亿伟世科技
2022年4月25日 碳化硅mosfet模块在光伏、风电、电动汽车及轨道交通等中高功率电力系统应用上具有巨大的优势。碳化硅器件的高压高频和高效率的优势，可以突破现有电动汽车电机设计上因器件性能而受到的限制，这是目国内外电动汽车电机领域研发的重点。
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