制造碳化硅设备
首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备？有多难做
2020年10月21日 2.芯片制造和芯片封装关键设备 碳化硅外延炉 化学气相沉积(CVD)是目生长碳化硅外最常用的生长设备，采用硅烷(SiH4) 和(C3Hg)分别作为硅源和碳源，在衬
获取价格进一步探索住友SiC技术揭秘：6英寸、“无缺陷”、速度提升5倍碳化硅（SiC）设备和工艺情况跟踪 ！ 投资不易，同志国产十大硅晶圆厂商 知乎本土超20条碳化硅晶圆产线大盘点！ 知乎三安光电（1）：SiC碳化硅产业链 根据公开信息，三安根据热度为您推荐•反馈
产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”_腾讯新闻
在研磨工艺后的清洗环节，国内半导体清洗设备龙头盛美上海7月份推出了新型化学机械研磨后（Post-CMP）清洗设备，该设备用于制造高质量衬底化学机械研磨（CMP）工艺之后
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一文看懂碳化硅（SiC）产业链_腾讯新闻
碳化硅产业链也可分为三个环节：分别是上游衬底，中游外延片和下游器件制造。 图表来源：中信证券 碳化硅上游 -- 衬底 碳化硅在半导体中存在的主要形式是作为衬底材料。碳化硅晶片作为半导体衬底材料，长晶难度
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技术|碳化硅产业链条核心：外延技术 知乎
2020年12月2日 技术|碳化硅产业链条核心：外延技术. 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高
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工艺|详解碳化硅晶片的工艺流程 知乎
概览参考目全球95%以上的半导体元件，都是以第一代半导体材料硅作为基础功能材料，不过随着电动 在第三代半导体材料中，SiC具有禁带宽度大、击穿电场高、饱和电子漂移速度高、热导率大等特点，可应用于1200伏特以上的高压环境，因此在严苛环境中有着明显优势。同时，SiC晶体因其与外延层材料GaN具有高匹配的晶格常数和热膨胀系数及良好的热导率，是G其中，SiC衬底加工技术是器件制作的重要基础，其表面加工的质量和精度的优劣，直接影响外延薄膜的质量及其器件的性能，因此在其应用中均要求晶片表面超光滑、无缺陷、无损伤，表面粗糙度值达纳米级以下。在zhuanlan.zhihu上查看更多信息
碳化硅（SiC）设备和工艺情况跟踪 ！ 投资不易，同志仍需
2022年1月4日 投资不易，同志仍需努力！碳化硅3个常识点 ：1、碳化硅领域在车载功率器件、光伏逆变器领域快速起量，赛道成长速度快 ！2、碳化硅目供需情况是一片难求，
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碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有
2022年3月22日 晶体生长：为碳化硅衬底制造 最核心工艺环节 1) 目市场主流工艺为 PVT 气相传输法（固-气-固反应）。在 2300°C 密闭、真 空的生长腔室内加热
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机械设备行业周报：关注碳化硅设备国产化突破和加速-研究
2023年2月27日 碳化硅产业资本开支加速，供应链安全可控助力国产碳化硅设备厂商突围. 碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基半导体基本一致，但部分工艺段使用专用
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碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有
2022年3月2日 晶体生长：为碳化硅衬底制造 最核心工艺环节 1) 目市场主流工艺为 PVT 气相传输法（固-气-固反应）。在 2300°C 密闭、真 空的生长腔室内加热碳化硅粉料，
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北京澄晶 碳化硅超高温制程设备-芯片、碳化硅制造设备
2020年12月12日 保证成功率，让我们的设备良率达到国际先进水平！我们成立科研团队研发自己的碳化硅长晶炉设备。制造 半导体的技术等于制造生产设备的技术，我们为您解
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碳化硅，第三代半导体时代的中国机会-新华网
2021年7月21日 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会-5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。
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英罗唯森：开启碳化硅设备先河_澎湃号媒体_澎湃新闻-The
2021年1月15日 英罗唯森：开启碳化硅设备先河. 无锡英罗唯森科技有限公司是国内领先的碳化硅设备制造商，为化工、医药农药、新能源领域等有耐腐蚀设备需求用户提供技术、解决方案、售后服务以及创新产品，满足其防腐蚀要求。. 同时该公司还是碳化硅换热器国家行业
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先进半导体研究院----碳化硅芯片怎么制造？（科普视频转发
2021年8月5日 浙江大学--先进半导体研究院--宽禁代半导体材料（碳化硅、氮化镓） 以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，突破原有半导体材料在大功率、高频、高速、高温环境下的性能限制，在5G通信、物联网、新能源、国防尖端武器装备等沿领域，发挥重要作
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机械设备行业周报：关注碳化硅设备国产化突破和加速-研究
2023年2月27日 碳化硅产业资本开支加速，供应链安全可控助力国产碳化硅设备厂商突围. 碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基半导体基本一致，但部分工艺段使用专用设备，部分需要在硅设备基础上加以改进。. 根据我们梳理，目长晶设备已基本实现国产化，其
获取价格中金 碳化硅材料：乘碳中和之东风，国内厂商奋起直追_新浪
2022年1月13日 国外的Dow Corning、Wolfspeed、ETC以及国内的瀚成、域半导体和中国电科等碳化硅外延片制造商使用的设备 均来源于这四家公司。图表20：SiC外延
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江苏星特亮科技有限公司（官方网站）延安星特亮科创有限
延安星特亮科创有限公司致力于人工晶体生长设备和闪烁晶体材料的研发、生产和销售；主要产品有碳化硅单晶炉、碳化硅籽晶粘接炉、碳化硅单晶热处理炉、下降炉、直拉单晶炉等；闪烁晶体材料主要产品有1"—8"、1L—4L碘化钠（铊）系列晶体、溴化镧晶体、碘化铯晶体和探测器；公司现有核心
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碳化硅（SiC）产业研究-由入门到放弃（一） 转载自：信熹
2021年12月4日 碳化硅陶瓷已经被广泛应用于制造高温轴承、防弹板、火箭喷管、燃气轮机叶片、高温耐蚀部件、高温和高频范围的电子设备零部件等。 以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁，可提高其耐磨性而延长使用寿命1～2倍。
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碳化硅大爆发，全球厂商跑马圈地|sic|半导体|晶片|金属_网易订阅
2022年10月16日 碳化硅大爆发，全球厂商跑马圈地. 全球制造商都在大力发展碳化硅制造业，预计从2024年开始真正实现增长。. 自特斯拉和ST微电子在Model 3中向SiC发起挑战以来，已经有将近五年了。. 现在，没有人怀疑电动汽车的市场吸引力，但消费者仍在要求更远的
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碳化硅晶圆制造难在哪？做出200mm的凤毛麟角-电
2021年8月3日 做出200mm的凤毛麟角-电子工程专辑. 碳化硅晶圆制造难在哪？. 做出200mm的凤毛麟角. 同时期的硅晶圆已经由200mm（8英寸）向300mm（12英寸）进发，但碳化硅晶圆的主流尺寸一直是150mm（6英
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科普｜碳化硅芯片怎么制造？-面包板社区
2021年8月4日 7、【原创】晶圆干燥技术与设备 芯片是如何制造 的？网络热议的碳化硅芯片与传统硅基芯片有什么区别？为大家解开谜团，走进神秘的芯片世界。科创中心先进半导体研究院特别推出的一支科普宣传片，让你四分钟，做个芯片通
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碳化硅，第三代半导体时代的中国机会-新华网
2021年7月21日 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会-5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。
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预见2022：《2022年中国碳化硅行业全景图谱》(附市场规模
2022年7月17日 半绝缘型碳化硅衬底指电阻率高于105Ωcm的碳化硅衬底，其主要用于制造氮化镓微波射频器件。微波射频器件是无线通讯领域的基础性零部件，中国大力发展5G技术推动碳化硅衬底需求释放。导电型碳化硅衬底指电阻率在15~30mΩcm的碳化硅衬底。
获取价格机械设备行业周报：关注碳化硅设备国产化突破和加速-研究
2023年2月27日 碳化硅产业资本开支加速，供应链安全可控助力国产碳化硅设备厂商突围. 碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基半导体基本一致，但部分工艺段使用专用设备，部分需要在硅设备基础上加以改进。. 根据我们梳理，目长晶设备已基本实现国产化，其
获取价格揭秘第三代半导体碳化硅，爆发增长的明日之星，国
2020年9月21日 SIC 晶片、外延和设备：国外 CREE 和 II-VI 占据了 SIC 片 70%以上的份额，国内山东岳和科合达已经 导电型碳化硅单晶衬底材料是制造碳化硅
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江苏星特亮科技有限公司（官方网站）延安星特亮科创有限
延安星特亮科创有限公司致力于人工晶体生长设备和闪烁晶体材料的研发、生产和销售；主要产品有碳化硅单晶炉、碳化硅籽晶粘接炉、碳化硅单晶热处理炉、下降炉、直拉单晶炉等；闪烁晶体材料主要产品有1"—8"、1L—4L碘化钠（铊）系列晶体、溴化镧晶体、碘化铯晶体和探测器；公司现有核心
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碳化硅（SiC）产业研究-由入门到放弃（一） 转载自：信熹
2021年12月4日 碳化硅陶瓷已经被广泛应用于制造高温轴承、防弹板、火箭喷管、燃气轮机叶片、高温耐蚀部件、高温和高频范围的电子设备零部件等。 以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁，可提高其耐磨性而延长使用寿命1～2倍。
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碳化硅：第三代半导体材料核心 碳化硅产业链图谱1、碳化硅
碳化硅衬底 衬底制造是碳化硅产业链技术壁垒最高、价值量最大的环节，是未来碳化硅大规模产业化推进的核心环节。碳化硅的衬底可以按照电阻率分为导电型衬底和半绝缘型衬底，导电型电阻率在0.02Ωcm左右，半绝缘型电阻率大于106Ωcm。
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北京澄晶 碳化硅超高温制程设备-芯片、碳化硅制造设备
2020年12月12日 保证成功率，让我们的设备良率达到国际先进水平！我们成立科研团队研发自己的碳化硅长晶炉设备。制造 半导体的技术等于制造生产设备的技术，我们为您解决设备及人才问题！ 更多设备资讯 播放视频 碳化硅长晶设备 利用高周波加热及电阻
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开源证券：关注碳化硅设备国产化突破和加速__财经头条
2023年2月27日 关注碳化硅设备国产化突破和加速——行业周报-. 1、碳化硅是制作大功率、高频、低损耗功率器件的最佳材料. 与硅基半导体材料相比，碳化硅具备能量损耗低、封装尺寸更小、可实现高频开关以及耐高温、散热能力强的突出优势，适合制作高温、高
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【会议报告】半导体制造装备用精密碳化硅陶瓷部件及制备
2022年4月6日 本报告主要围绕我国高端装备对陶瓷部件的需求展开，介绍我国精密碳化硅陶瓷部件制造技术，碳化硅部件制造水平、碳化硅陶瓷部件在关键装备的配套应用，以及我国碳化硅陶瓷未来重点发展方向。. 刘海林，教授级高级工程师，主要从事碳化硅陶瓷及其复合
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产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”_腾讯新闻
在研磨工艺后的清洗环节，国内半导体清洗设备龙头盛美上海7月份推出了新型化学机械研磨后（Post-CMP）清洗设备，该设备用于制造高质量衬底化学机械研磨（CMP）工艺之后
获取价格一文看懂碳化硅（SiC）产业链_腾讯新闻
碳化硅产业链也可分为三个环节：分别是上游衬底，中游外延片和下游器件制造。 图表来源：中信证券 碳化硅上游 -- 衬底 碳化硅在半导体中存在的主要形式是作为衬底材料。碳化硅晶片作为半导体衬底材料，长晶难度
获取价格技术|碳化硅产业链条核心：外延技术 知乎
2020年12月2日 技术|碳化硅产业链条核心：外延技术. 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高
获取价格工艺|详解碳化硅晶片的工艺流程 知乎
概览参考目全球95%以上的半导体元件，都是以第一代半导体材料硅作为基础功能材料，不过随着电动 在第三代半导体材料中，SiC具有禁带宽度大、击穿电场高、饱和电子漂移速度高、热导率大等特点，可应用于1200伏特以上的高压环境，因此在严苛环境中有着明显优势。同时，SiC晶体因其与外延层材料GaN具有高匹配的晶格常数和热膨胀系数及良好的热导率，是G其中，SiC衬底加工技术是器件制作的重要基础，其表面加工的质量和精度的优劣，直接影响外延薄膜的质量及其器件的性能，因此在其应用中均要求晶片表面超光滑、无缺陷、无损伤，表面粗糙度值达纳米级以下。在zhuanlan.zhihu上查看更多信息碳化硅（SiC）设备和工艺情况跟踪 ！ 投资不易，同志仍需
2022年1月4日 投资不易，同志仍需努力！碳化硅3个常识点 ：1、碳化硅领域在车载功率器件、光伏逆变器领域快速起量，赛道成长速度快 ！2、碳化硅目供需情况是一片难求，
获取价格碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有
2022年3月22日 晶体生长：为碳化硅衬底制造 最核心工艺环节 1) 目市场主流工艺为 PVT 气相传输法（固-气-固反应）。在 2300°C 密闭、真 空的生长腔室内加热
获取价格机械设备行业周报：关注碳化硅设备国产化突破和加速-研究
2023年2月27日 碳化硅产业资本开支加速，供应链安全可控助力国产碳化硅设备厂商突围. 碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基半导体基本一致，但部分工艺段使用专用
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2022年3月2日 晶体生长：为碳化硅衬底制造 最核心工艺环节 1) 目市场主流工艺为 PVT 气相传输法（固-气-固反应）。在 2300°C 密闭、真 空的生长腔室内加热碳化硅粉料，
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2020年12月12日 保证成功率，让我们的设备良率达到国际先进水平！我们成立科研团队研发自己的碳化硅长晶炉设备。制造 半导体的技术等于制造生产设备的技术，我们为您解
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2021年1月15日 英罗唯森：开启碳化硅设备先河. 无锡英罗唯森科技有限公司是国内领先的碳化硅设备制造商，为化工、医药农药、新能源领域等有耐腐蚀设备需求用户提供技术、解决方案、售后服务以及创新产品，满足其防腐蚀要求。. 同时该公司还是碳化硅换热器国家行业
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2022年1月13日 国外的Dow Corning、Wolfspeed、ETC以及国内的瀚成、域半导体和中国电科等碳化硅外延片制造商使用的设备 均来源于这四家公司。图表20：SiC外延
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延安星特亮科创有限公司致力于人工晶体生长设备和闪烁晶体材料的研发、生产和销售；主要产品有碳化硅单晶炉、碳化硅籽晶粘接炉、碳化硅单晶热处理炉、下降炉、直拉单晶炉等；闪烁晶体材料主要产品有1"—8"、1L—4L碘化钠（铊）系列晶体、溴化镧晶体、碘化铯晶体和探测器；公司现有核心
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2021年12月4日 碳化硅陶瓷已经被广泛应用于制造高温轴承、防弹板、火箭喷管、燃气轮机叶片、高温耐蚀部件、高温和高频范围的电子设备零部件等。 以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁，可提高其耐磨性而延长使用寿命1～2倍。
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2021年8月3日 做出200mm的凤毛麟角-电子工程专辑. 碳化硅晶圆制造难在哪？. 做出200mm的凤毛麟角. 同时期的硅晶圆已经由200mm（8英寸）向300mm（12英寸）进发，但碳化硅晶圆的主流尺寸一直是150mm（6英
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2022年7月17日 半绝缘型碳化硅衬底指电阻率高于105Ωcm的碳化硅衬底，其主要用于制造氮化镓微波射频器件。微波射频器件是无线通讯领域的基础性零部件，中国大力发展5G技术推动碳化硅衬底需求释放。导电型碳化硅衬底指电阻率在15~30mΩcm的碳化硅衬底。
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延安星特亮科创有限公司致力于人工晶体生长设备和闪烁晶体材料的研发、生产和销售；主要产品有碳化硅单晶炉、碳化硅籽晶粘接炉、碳化硅单晶热处理炉、下降炉、直拉单晶炉等；闪烁晶体材料主要产品有1"—8"、1L—4L碘化钠（铊）系列晶体、溴化镧晶体、碘化铯晶体和探测器；公司现有核心
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2021年12月4日 碳化硅陶瓷已经被广泛应用于制造高温轴承、防弹板、火箭喷管、燃气轮机叶片、高温耐蚀部件、高温和高频范围的电子设备零部件等。 以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁，可提高其耐磨性而延长使用寿命1～2倍。
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碳化硅衬底 衬底制造是碳化硅产业链技术壁垒最高、价值量最大的环节，是未来碳化硅大规模产业化推进的核心环节。碳化硅的衬底可以按照电阻率分为导电型衬底和半绝缘型衬底，导电型电阻率在0.02Ωcm左右，半绝缘型电阻率大于106Ωcm。
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2020年12月12日 保证成功率，让我们的设备良率达到国际先进水平！我们成立科研团队研发自己的碳化硅长晶炉设备。制造 半导体的技术等于制造生产设备的技术，我们为您解决设备及人才问题！ 更多设备资讯 播放视频 碳化硅长晶设备 利用高周波加热及电阻
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2023年2月27日 关注碳化硅设备国产化突破和加速——行业周报-. 1、碳化硅是制作大功率、高频、低损耗功率器件的最佳材料. 与硅基半导体材料相比，碳化硅具备能量损耗低、封装尺寸更小、可实现高频开关以及耐高温、散热能力强的突出优势，适合制作高温、高
获取价格【会议报告】半导体制造装备用精密碳化硅陶瓷部件及制备
2022年4月6日 本报告主要围绕我国高端装备对陶瓷部件的需求展开，介绍我国精密碳化硅陶瓷部件制造技术，碳化硅部件制造水平、碳化硅陶瓷部件在关键装备的配套应用，以及我国碳化硅陶瓷未来重点发展方向。. 刘海林，教授级高级工程师，主要从事碳化硅陶瓷及其复合
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